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論文

Energy loss of 1000keV electrons in thin silicon crystals as measured by high voltage electron microscopy

土井健治; 出井数彦; 大津仁; 富満広

Radiat.Eff., 26(1-2), p.129 - 133, 1975/02

シリコン単結晶薄膜を透過した1000KeV電子線のエネルギー分析を、超高圧電子顕微鏡に設置したエネルギー分析器を用いて行なった。結晶は220ブラック反射の方位におかれ、結晶厚さをブラック反射の干渉高により求めた。1000の厚さにおける透過電子線のエネルギースペクトルを測定した。測定結果の解析より損失確率の値(平均自由行路の逆数)がプラズモン励起、L殻X線励起についてそれぞれ0.520.0210 $^{-}$ $^{3}$ $AA$^{-}$$ $^{1}$ 、1.50+0.0210 $^{-}$ $^{3}$ $AA$^{-}$$ $^{1}$ と求められた。